苏州晶湛半导体有限公号�/title> -

关于晶湛

苏州晶湛半导体有限公号�/P>

晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的开拓者程凯博士于2012�?月回国创办，坐落于苏州市工业园区，拥有国际先进的氮化镓外延材料研发和产业化基地，致力于为电力电子以及微显示等领域提供高品质氮化镓外延材料解决方案、�/p>

900
国内外申请近900项专�?/p>
ISO 9001认证
lSO 9001:2015认证
IATF 16949:2016认证
2012
2012年投资创廹�/p>

产品中心

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电力电子

� GaN-on-Si (100mm,150mm,200mm,300mm)

� D-mode and E-mode

� Breakdown Voltage available from 200V to 1200V

高端光电

� GaN-on-Sapphire (50.8mm,100mm,150mm)

� GaN-on-Si (100mm,150mm,200mm,300mm)

� UVC, Near-UV, Blue, Green & Red

其他定制

新闻媒体

2025-04-08

晶湛半导体发布第二代Full Color GaN®全彩系列外延片，携ZDP™平台助力AR眼镜商业化进稊�/a> 晶湛半导体在SEMICON CHINA 2025期间发布了基于ZDP™平台验证的Full Color GaN®全彩系列第二代外延片，为行业带来了破局曙光、�/a> 查看详情 +

2023-12-08

晶湛半导体完成数亿元C+轮融赃�/a> 近日，第三代半导体氮化镓外延领军企业晶湛半导体宣布完成C+轮数亿元融资，这是晶湛公司继2022年完�?轮数亿元融资以来的又一融资进展、�/a> 查看详情 +

2022-12-08

晶湛半导体完成数亿元C轮融赃�/a> 第三代半导体氮化镓外延领军企业晶湛半导体宣布完成数亿元C轮融赃�/a> 查看详情 +

2022-11-05

晶湛半导体十周年庆典圆满结束晶耀十载-敢为未来ADecadeofPerseverancePowerstheFuture 查看详情 +

2022-11-05

晶湛半导体总部大楼顺利封顶晶湛半导体总部大楼建设项目封顶仪式在苏州工业园区纳米城隆重举行、�/a> 查看详情 +

2022-04-18

晶湛半导体发布Full Color GaN®全彩系列LED产品并打�?00mm壁垒 2022�?�?日，苏州晶湛半导体有限公司今日发布了其面向微显示产业应用的FullColorGaN®全彩系列外延片产品，并将LED外延片尺寸成功拓展至300mm、�/a> 查看详情 +

2022-03-03

氮化镓外延领军企业晶湛半导体完成数亿元战略融赃�/a> (2022�?�?日，苏州)近日，苏州晶湛半导体有限公司（“晶湛半导体”）宣布完成B+轮数亿元战略融资。本轮融资由歌尔微电子（歌尔股份002241.SZ控股子公司）领投，高瓴创投、惠友资本、创新工场、禾创致远、共青城军合、无限基金、三七互娱、中信证券等跟投，老股东元禾控股、湖杉资本等继续加码。晶湛半导体由业界公认的硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延技术的开拓者程凯博士于2012�?月回国创办，坏�/a> 查看详情 +

2021-12-02

晶湛半导体总部大楼正式奠基 2021�?2�?日上午，晶湛半导体总部大楼建设项目奠基仪式在苏州工业园区纳米城正式举行查看详情 +

2021-09-23

晶湛半导体成功突�?2英寸硅基氮化镓HEMT外延技�?/a> 2021�?�?3日，由芜湖市人民政府和SEMI中国共同主办的“化合物半导体制造技术论坛”在安徽省芜湖市成功举办查看详情 +

2021-06-10

10000V！氮化镓功率器件击穿电压新纪彔�/a> 美国弗吉尼亚理工大学电力电子技术中心（CPES）和苏州晶湛半导体团队合作攻关，通过采用苏州晶湛新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片，以及运用pGaN降低表面场技术（p-GaNreducedsurfacefield(RESURF)制备的肖特基势垒二极�?SBD)，成功实现了超过10kV的超高击穿电压、�/a> 查看详情 +

2021-04-21

苏州晶湛半导体发布新型多沟道异质结构外延片产品，提高电力电子系统的转化效玆�/a> 2021�?�?1日，苏州晶湛半导体有限公司发布了新型多沟道AlGaN/GaN异质结构外延片产品，在保持高电子迁移率的同时，将载流子浓度提高了4倍以三�/a> 查看详情 +

2019-03-25

程凯博士应邀参加工业园区科信局举办的“科技创享汇“�/a> 3�?5日，由苏州工业园区科技和信息化局主办的“科技创享汇”如期举衋�/a> 查看详情 +

2019-01-30

硅上的多通道三栅极III-氮化物高电子迁移率晶体管目前瑞士和中国的研究人员共同制造出具有五个III族氮化物半导体沟道能级的三栅极金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管，从而提高了静电控制和驱动电�?/a> 查看详情 +

2018-11-08

苏州晶湛半导体有限公司参�?018中国集成电路产业促进大会 2018中国集成电路产业促进大会——功率半导体主题研讨会于2018�?1�?日上午在重庆顺利召开。研讨会由中国电子信息产业发展研究院主办，超摩尔研究室主任朱邵歆博士主持查看详情 +

2017-09-20

苏州晶湛半导体有限公司参�?017 SEMICON Taiwan及相关宽禁带论坛 2017SEMICONTaiwan国际半导体展�?/13~9/15在台北南港展览馆举办，本次展会除提供产业技术之外，并透过论坛与研讨会的举办，互相交流，是台湾半导体产业的一项年度盛�?.. 查看详情 +

2016-11-17

【IFWS 2016】揭开宽禁带半导体电力电子器件产业化序幔�/a> 以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料已引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点。第三代半导体具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率�?.. 查看详情 +

2016-01-05

苏州晶湛半导体有限公司荣�?015年度苏州市技术发明奖一等奖各市、区人民政府，苏州工业园区、苏州高新区、太仓港口管委会；市各委办局，各直属单位：为全面贯彻党的十八大和十八届三中、四中、五中全会以及习近平总书记系列重要讲话特别是视察江苏重要讲话精神... 查看详情 +

2015-07-28

苏州晶湛半导体有限公司成为SEMI中国功率及化合物半导体委员会成员 SEMI中国宣布成立SEMI中国功率及化合物半导体委员会，并�?015�?�?8日在上海举行了启动会议。SEMI全球副总裁、中国总裁陆郝安博士为会议致欢迎词并介绍了SEMI中国围绕促进产业发展所构建的产业合作交流平�?.. 查看详情 +

2014-07-03

苏州晶湛半导体有限公司成功在200毫米硅基上生产出高压氮化镓HEMT结构材料中国半导体专家苏州晶湛半导体有限公司通过利用AIXTRON爱思强反应器，成功�?00毫米的硅基（硅基氮化镓）上生产高压氮化镓HEMT（高电子迁移率晶体管）结构材�?.. 查看详情 +