德州仪器（TI）宣布推出新的集成氮化镓功率芯片

德州仪器（TI）宣布推出新的功率芯片，以支持现代数据中心日益增长的功率需求，这些产品在3月16日至20日于乔治亚州亚特兰大举行的应用电力电子会议（APEC）上展示。其中一项产品是集成氮化镓（GaN）功率芯片系列，包括LMG3650R035、LMG3650R025和LMG3650R070，采用行业标准的TOLL封装。据TI称，这些产品能够让设计人员在无需进行昂贵且耗时的重新设计的情况下，利用TI GaN的效率优势。

这些新的功率芯片集成了高性能栅极驱动器与650V GaN FET，实现了高效率（>98%）和高功率密度（>100W/in³）。它们还集成了先进的保护功能，包括过流保护、短路保护和过温保护。这对于服务器电源等AC/DC应用尤其重要，因为设计人员面临着将更多功率集成到更小空间的挑战。

与此同时，TI还宣布推出了行业首款48V集成热插拔电子保险丝（eFuses），带有功率路径保护功能，以支持数据中心硬件和处理需求。这些器件实现了超过6kW的功率水平，并具备智能系统保护功能。

在2025年APEC会议上，TI展出了多项基于GaN的功率应用，包括：

• 戴尔1.8kW服务器电源单元（PSU）：该PSU采用了TI GaN功率芯片，集成了GaN FET、驱动器、保护和温度报告功能，以实现超过96%的系统级效率。

• Vertiv 5.5kW服务器PSU：作为Vertiv PowerDirect机架直流电源系统的一部分，Vertiv最新的PSU采用了TI GaN技术，可为每个机架提供高达132kW的功率。

• 长城8kW PSU：为了帮助设计人员提高功率密度，长城和TI联合开发了一款8kW开放式机架PSU，采用了TI GaN技术和TI C2000实时微控制器。