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Compound Semiconductors 英文版
技术文章
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Bosch和Element Six成立合资企业
2025-4-9
天岳先进年产500吨 单晶基地即将投产!
2025-4-9
三星发布新一代Onyx LED电影屏
2025-4-8
鲁晶半导体与山东大学共建 功率器件产学研合作新生态
2025-4-8
西安电子科技大学与中国电科签署战略合作协议
2025-4-7
英特尔和台积电达成初步协议,将成立芯片制造合资企业
2025-4-7
SEMI报告:2025 年全球晶圆厂设备投资可望达 1100 亿美元
2025-4-3
马自达与ROHM携手合作 开发氮化镓功率半导体汽车组件
2025-4-3
湖北大学 + 华为,重要合作!
2025-4-3
正泰电源再签一单土耳其太阳能发电项目!
2025-4-3
工信部:前2个月集成电路设计收入同比增长13.5%
2025-4-3
恒大汽车上海公司进入破产清算程序
2025-4-2
意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议
2025-4-2
重磅!格罗方德或与联电合并
2025-4-1
日本政府将向Rapidus追加援助至多近400亿元
2025-4-1
APEC 2025展示宽禁带器件进展
2025-3-31
最新公司新闻
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士兰微披露SiC项目最新进展,士兰集宏8英寸线预计Q4通线试产
2025-4-9
国产化逆导IGBT功率模块通过科技查新,打破国外垄断
2025-4-9
元脑服务器全面导入氮化镓GaN钛金电源
2025-4-8
德州仪器(TI)宣布推出新的集成氮化镓功率芯片
2025-4-8
金刚石衬底,日本Orbray再破纪录!
2025-4-7
紫光展锐加速 IPO
2025-4-7
LG集团越南工厂,晶澳科技来了!
2025-4-3
联电新加坡厂扩建落成,一期投资超363亿元
2025-4-3
总投资11亿!磷化铟单晶衬底片项目成功签约
2025-4-3
英特尔将切割非核心业务 ,打造世界级晶圆代工厂
2025-4-3
高通考虑向半导体公司Alphawave发出收购要约
2025-4-3
英特尔新任CEO陈立武:18A制程节点正推进,首个外部客户的流片工作即将完成
2025-4-2
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博世加快 芯片生产
2022-2-14
GaN Systems公司:准备好量产
2022-1-17
Navitas:GaN 占据主导地位的计划
2021-12-21
激光二极管的光明前景
2021-11-15
晶湛:打破300毫米的壁垒
2021-10-26
III-V Epi:对速度的需求
2021-10-14
AFTech:创造杀手级涂层
2021-10-8
Akhan半导体将扩大金刚石电子产品市场
2021-8-26
湖南三安将目光投向
2021-8-17
全神贯注于光子学制造
2021-7-2
:预见未来
2021-6-4
MicroLED显示屏:专利,Facebook和中国
2021-5-17
高效、价格合理的半极性 GaN
2021-3-30
GaN纳米线晶体管在高电压下保持低温
2021-3-30
2025年2/3月刊
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最新技术文章
为什么 Cascode JFET 可以轻松实现硅到 的过渡?
2025-3-12
扩展5G和6G的III-V技术
2025-2-13
双势垒阳极结构实现0.36 V导通电压时10 kV击穿电压的横向GaN肖特基势垒二极管
2025-1-13
如何整合硅和III-V族
2025-1-6
微射流激光切割GaN晶体的研究
2025-1-6
Ga?O?:提高栅极介电性能
2025-1-3
在N极性GaN上实现低接触电阻
2025-1-3
GaN VCSELs:生产流程的精细化
2025-1-3
超宽禁带半导体材料与器件研究进展
2025-1-3
硅光子集成芯片技术和产业化进展
2025-1-3
应用AlN的极端温度器件
2025-1-3
一种削减成本的合理方法
2025-1-3
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