国产化逆导IGBT功率模块通过科技查新，打破国外垄断

材料来源：中微创芯科技官微

据中微创芯科技官微消息，近日，中微创芯“基于国产化逆导 IGBT（RC-IGBT）的智能功率模块（IPM）设计开发及产业化”项目通过中国科学院兰州查新咨询中心科技查新，核心技术达国际先进水平，三项创新填补国内外空白，为我国半导体产业自主化再添重器。

中微创芯此次成功研发国产化逆导 IGBT（RC-IGBT）智能功率模块（IPM），一举攻克传统 IGBT 模块导通损耗高、体积大、可靠性差等难题。经权威查新机构认定，项目三大核心技术在国内外公开文献中未见相同报道：1、芯片结构革新：效率与集成双突破；2、极致密度与鲁棒性：小尺寸大能量；3、多物理场协同封装：工艺与性能双优化。

项目已建成国内首条 RC-IGBT-IPM 专用产线，月产能达 20 万支，累计获得授权发明专利 7 项。产品成功应用于工业自动化、家电、新能源汽车等领域，与多家知名企业达成合作，从技术研发到市场应用形成完整闭环，真正实现 “中国芯” 的自主可控。

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