IQE与X-FAB签署联合开发协议，推动GaN功率平台研发

IQE与X-FAB签署联合开发协议，共同开发650V GaN功率器件平台，推动GaN技术在汽车、数据中心和消费电子等领域的应用。这一合作将利用IQE在GaN外延技术方面的优势与X-FAB在器件制造上的经验，促进GaN技术在欧洲市场的推广，进一步缩短产品上市时间

关键词：GaN功率器件，IQE与X-FAB，半导体合作

2025年4月10日，全球领先的 晶圆产品和先进材料解决方案供应商IQE plc（AIM：IQE）与领先的模拟/混合信号及特色晶圆厂X-FAB Silicon Foundries SE（X-FAB）正式宣布签署了一项联合开发协议（JDA）。两家公司将携手开发一款650V GaN功率器件平台，推动GaN（氮化镓）技术在欧洲市场的进一步应用，尤其是在汽车、数据中心以及消费电子等关键领域。

 

合作背景

在为期两年的初步合作期内，IQE将利用其在GaN外延设计和工艺方面的专业技术，与X-FAB在器件制造方面的丰富经验相结合，共同开发一款650V GaN功率器件。此合作将提供一个技术优化的GaN平台，适用于无晶圆厂半导体公司，以帮助加速创新周期并缩短市场推出时间。此次合作还将为未来650V以上的GaN器件发展奠定基础，以满足不断增长的电力电子市场需求。IQE临时首席执行官兼首席财务官Jutta Meier表示：“与X-FAB的合作不仅将推动GaN技术在欧洲的应用，还将加速GaN功率器件的市场推广。我们在GaN外延技术方面的专业积累以及最近对反应堆产能的投资，使得这项协议与我们的GaN多元化战略高度契合。”

 

双方技术优势互补

X-FAB的首席技术官Jörg Doblaski也强调，双方的合作将结合X-FAB长期积累的GaN器件制造和设计经验与IQE的外延技术领导地位，开发出一个独特的GaN功率平台。“我们在GaN器件的制造和设计上有着深厚的技术积累，此次合作将为现有供应链模式提供一个有力的替代方案，并推动欧洲在下一代功率半导体技术领域的领先地位。”他说。

 

技术应用前景

这一合作成果预计将在多个领域产生重要影响，特别是在汽车、数据中心和消费电子等高速发展的应用场景中，GaN技术的应用将带来更高的效率、更低的能耗，并推动相关产业的创新与发展。此外，GaN功率平台的推出将为无晶圆厂半导体公司提供先进的现成平台，进一步缩短产品从研发到市场的时间，加速技术创新。

 

行业影响

这一合作不仅为GaN功率器件的研发注入了新的动力，也推动了欧洲在全球半导体产业中的地位提升。随着GaN技术的不断成熟，其在电力电子市场中的应用前景广阔，预计将在新能源汽车、绿色能源和智能数据中心等行业中发挥越来越重要的作用。此次IQE与X-FAB的战略合作，为GaN技术的市场应用带来了新的希望，也为未来技术创新提供了更加广阔的舞台。