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意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议

2025/4/2 9:46:16 材料来源：意法半导体中国

据意法半导体中国消息，意法半导体（ST）与英诺赛科共同宣布签署了一项氮化镓技术开发与制造协议。双方将充分发挥各自优势，提升氮化镓功率解决方案的竞争力和供应链韧性。

根据协议，双方将合作推进氮化镓功率技术的联合开发计划，并在未来几年内共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车、工业电源系统等领域得到广泛应用的光明前景。

此外，根据协议约定，英诺赛科可借助意法半导体在中国以外地区的前端制造产能生产其氮化镓晶圆，而意法半导体也可借助英诺赛科在中国的前端制造产能生产其自有的氮化镓晶圆。双方共同的目标是依托这种灵活的供应链布局，拓展各自的氮化镓产品组合和市场供应能力，提升供应链韧性，从而满足更广泛的应用场景下的各种客户需求。

意法半导体模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部（APMS）总裁Marco Cassis表示：“意法半导体与英诺赛科均为垂直整合器件制造商（IDM），此次合作将最大化发挥IDM这一模式的优势，为全球客户创造价值。一方面，意法半导体将加速氮化镓功率技术部署，进一步完善现有的硅和产品组合；另一方面，意法半导体也将通过灵活的制造模式更好地服务于全球客户。”

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