马自达和ROHM合作开发基于氮化镓的汽车组件

日本马自达汽车公司和总部位于京都的ROHM Co Ltd已开始合作开发基于氮化镓（GaN）功率半导体的汽车组件。

自2022年以来，马自达和ROHM一直在合作开发使用 （SiC）功率半导体的逆变器，作为电动汽车驱动单元开发和生产合作的一部分。现在，他们还开始了使用氮化镓功率半导体的汽车组件开发，目标是为下一代电动汽车创造创新的汽车组件。两家公司将合作开发一个考虑整车的封装，并提供在减轻重量和设计方面具有创新性的解决方案。他们计划在2025财年内展示一个演示模型，并以2027财年为目标实现实际应用。

 “我们很高兴能够共同创造一个直接连接半导体器件和汽车的新价值链，”马自达董事、高级执行官兼CTO Ichiro Hirose表示。

 “ROHM的EcoGaN能够进行高频操作，以及最大化其性能的控制IC，是实现小型化和节能的关键，”ROHM董事会成员兼高级执行官Katsumi Azuma表示：“为了实现这一点，与广泛公司的合作至关重要，我们已经建立了各种合作伙伴关系，以开发和大规模生产GaN。通过与马自达合作，我们将从应用和最终产品开发的角度了解GaN的需求，为GaN功率半导体的普及做出贡献。”

2025年3月28日，全球领先的半导体制造商罗姆（ROHM）宣布推出1200V GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管），标志着其在宽禁带半导体领域的又一突破。该器件基于创新的垂直结构设计，通过优化栅极耐压与热管理性能，显著提升了电动汽车和可再生能源系统的功率密度与可靠性。

技术亮点

栅极耐压突破性提升

新型器件采用改进的p型栅极结构，将栅极-源极额定电压从8V提升至12V，有效抑制开关过程中的电压过冲现象，设计裕度提升50%10。这一进步解决了GaN器件在高压应用中的长期可靠性问题，尤其适用于800V电动汽车平台和光伏逆变器系统。

低寄生电感封装技术

罗姆开发了专为多芯片模块设计的QFN封装，通过3D堆叠布局将寄生电感降低至0.5nH，相比传统封装减少70%。结合氮化铝陶瓷基板，热阻降至0.3°C/W，支持150℃连续工作。

智能驱动集成方案

配套推出的智能栅极驱动器整合了动态阈值补偿功能，可实时监测结温变化并调整驱动电压，使开关损耗再降30%。该方案已通过AEC-Q101车规认证，满足ASIL-D功能安全要求。