4月14日,英诺赛科发布公告,宣布自主开发的1200V氮化镓(GaN)产品已实现量产。
公告介绍,该款产品凭借宽禁带特性,在高压高频场景优势显著,具备零反向恢复电荷的核心优势,有助于进一步推动能源转换系统的效率提升和小型化,可广泛应用于新能源汽车、工业以及AI数据中心等领域。
英诺赛科表示,这款1200V氮化镓(GaN)产品在新能源汽车800V平台,可提升车载充电效率并缩小体积,扩大续航里程并降低成本;在高压母线的AI数据中心架构及工业电源领域,有助于实现数据中心电源高效高密度的转换以及工业电源的小型化和高效化。
此外,英诺赛科表示该产品已经过验证,已在中大功率电源方面实现量产,下一步将被应用在新能源汽车、AI数据中心等领域。
英诺赛科指出,氮化镓技术对实现更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统至关重要。
在不久前,英诺赛科与全球半导体巨头意法半导体(STMicroelectronics)签署氮化镓技术开发与制造协议,双方将共同推动该技术在消费电子、数据中心、汽车及工业电源系统等领域的应用。
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