英国的Paragraf公司在使用标准半导体工艺大规模生产石墨烯电子产品方面处于领先地位。近日,该公司获得了Innovate UK的419,419英镑(约380万人民币)资助,用于开发一种先进半导体存储器技术的概念验证原型,该技术利用硅平台上与石墨烯相结合的一类新型铁电材料。作为这项联合资助的一部分,由 Judith Driscoll 教授的研究小组领导的剑桥大学材料科学与冶金学系将获得 299,198 英镑,用于改进将铁电材料与 Paragraf 的无转移石墨烯相结合的沉积工艺。此次合作旨在制造新型存储设备,包括石墨烯-铁电场效应晶体管 (G-FeFET),预计与现有存储技术相比,该设备将节省大量电量。这些进步对于降低数据中心和消费电子产品的能耗至关重要,支持正在进行的人工智能革命。
据了解,Paragraf 仍然是全球第一家也是唯一一家提供可扩展、高性能石墨烯电子设备制造的公司,满足传感器和诊断市场的需求。
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