据镓仁半导体官微消息,3月5日,杭州镓仁半导体有限公司(以下简称“镓仁半导体”)发布全球首颗第四代半导体氧化镓8英寸单晶。
据悉,镓仁半导体采用完全自主创新的铸造法成功实现8英寸氧化镓单晶生长,并可加工出相应尺寸的晶圆衬底。这一成果,标志着镓仁半导体成为国际上首家掌握8英寸氧化镓单晶生长技术的企业,刷新了氧化镓单晶尺寸的全球纪录,也创造了从2英寸到8英寸,每年升级一个尺寸的行业记录。
中国氧化镓率先进入8英寸时代,不仅标志着我国在超宽禁带半导体领域的技术进步,更为我国氧化镓产业在全球半导体竞争中抢占了先机,有力推动我国在全球半导体竞争格局中占据优势地位。
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