近日,湖北芯中达材料科技有限公司(以下简称“芯中达”)与武汉中科先进材料科技有限公司正式签署合作协议!双方将围绕氮化铝陶瓷材料中试产线开发展开深度技术合作,共同加速国产高性能散热材料的产业化进程。
据悉,芯中达成立于2023年,致力于为客户提供一流的高热导率氮化铝陶瓷材料解决方案。主要产品及服务范围是针对国防军工、卫星通讯、汽车电子、半导体设备行业、消费电子、封装等领域的先进陶瓷——超高热导率的氮化铝陶瓷基板及零配件研发、生产与销售。公司致力于电子元件和半导体设备散热功用的先进陶瓷零部件国产化,拥有多项发明专利,并获得第十届“创青春”中国青年创新创业大赛(科技创新专项)全国金奖。
如今,芯中达已拥有一支由材料科学领域博士后、博士等人才组成的研发团队,在氮化铝基板的量产工艺优化方面取得突破性进展,热导率突破250.989 W/m·K,达到国际先进水平。公司已申请多项核心发明专利,涵盖流延成型、烧结等多方面的工艺设计、界面增强及缺陷控制技术,形成了坚实的技术壁垒。
此外,公司在3月完成数百万元天使轮融资,该轮投资由武汉市江夏科技投资集团有限公司的天使投资基金直投,资金将主要用于高热导率氮化铝陶瓷基板的研发、中试量产和市场拓展。
此次签约是芯中达布局先进陶瓷产业链的重要一步,双方明确以协议签署为起点,通过中试阶段的技术验证,为后续规模化量产奠定基础。
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