天岳先进，5项金刚石半导体新专利同时公布

4月9日消息，国家知识产权局信息显示，上海天岳半导体材料有限公司申请一项名为“一种高热导率金刚石多晶衬底的制备方法”的专利，公开号 CN 119776984 A，申请日期为2025年1月。

专利摘要显示，本申请公开了一种高热导率金刚石多晶衬底的制备方法，属于金刚石多晶衬底技术领域。该制备方法包括步骤，(1)生长前准备：对 衬底的碳面进行刻蚀；(2)金刚石多晶衬底生长：甲烷作为反应气体，氢气作为载气，氧气作为辅助气体，利用化学气相沉积法在刻蚀处理后的 衬底的碳面上生长金刚石多晶衬底；(3)原位退火自剥离：生长结束后，原位退火使得金刚石多晶衬底和 衬底原位分离，即得高热导率金刚石多晶衬底。该方法通过在刻蚀后 衬底的碳面上进行金刚石多晶衬底的生长能够提高金刚石多晶衬底的热导率和热导率均性，提高金刚石多晶衬底的商业化应用前景。

与此同时，上海天岳半导体针对金刚石半导体同时申请了5项专利，其他几项专利名称和专利号分别为：一种多晶金刚石表面的加工方法（公开号：CN119609776A）、一种热导率高且透光性好的金刚石多晶衬底及应用（公开号：CN119800503A）、一种制备 -金刚石复合衬底的方法（公开号：CN119811986A）、一种 -金刚石复合衬底及应用（公开号：CN119812142A）。

据天眼查资料显示，上海天岳半导体材料有限公司，成立于2020年，是山东天岳先进股份有限公司的全资子公司，从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主。企业注册资本40000万人民币，实缴资本40000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海天岳半导体材料有限公司参与招投标项目15次，专利信息45条，此外企业还拥有行政许可50个。