企业新闻详细内容

晶盛机电成功研发12英寸导电型SiC晶体

材料来源：晶盛机电

日前，晶盛机电子公司浙江晶瑞电子材料有限公司实现12英寸导电型（SiC）单晶生长技术突破，首颗12英寸SiC晶体成功出炉——晶体直径达到309mm，质量完好。这不仅标志着晶盛机电在SiC领域实现了6-12英寸全尺寸长晶技术的自主可控，更为我国SiC产业链的自主化发展提供了强有力的技术支撑。

据悉，浙江晶瑞基于自主研发的SiC单晶生长炉以及持续迭代升级的8-12英寸长晶工艺，经过多年的技术攻关，创新晶体生长温场设计及气相原料分布工艺，成功攻克12英寸SiC晶体生长中的温场不均、晶体开裂等核心难题，实现了12英寸超大尺寸晶体生长的重要突破。

此次成功研制出12英寸SiC晶体，大幅度提升晶圆的有效可用面积，快速降低芯片单位成本，是晶盛机电正式迈入超大尺寸SiC衬底新时代的重要标志，将进一步加速我国SiC产业链的完善，为国产SiC材料在新能源汽车、光伏储能、智能电网、5G及AI/AR智能眼镜等行业的快速规模化应用提供可能。

【近期会议】

6月24日14:00，聚焦半导体量测智能化升级的线上研讨会重磅开启！后摩尔时代，半导体检测技术如何突破？AI+多维协同是关键！直击AI+AOI/3D检测/HBM/先进封装等技术痛点，立即扫码报名，锁定席位：https://w.lwc.cn/s/Y7RnQ3

声明：本网站部分文章转载自网络，转发仅为更大范围传播。转载文章版权归原作者所有，如有异议，请联系我们修改或删除。联系邮箱：lynnw@actintl.com.hk