富加镓业氧化镓MOCVD同质外延片性能再创新高

据中国计量科学研究院权威检测结果，富加镓业新一代厚度超10μm的氧化镓（β-Ga₂O₃）MOCVD同质外延片，其迁移率高达181.6 cm²/V·s，载流子浓度达4.2×10¹⁶ cm⁻³，达到国际领先水平。这是继3月实现10μm级氧化镓外延片迁移率172.7 cm²/V·s突破后的又一里程碑，进一步巩固了富加镓业在氧化镓材料领域的技术领先地位。

氧化镓因其超宽禁带（4.8-5.2 eV）、高击穿场强（~8 MV/cm）等优势，被视为继 （SiC）、氮化镓（GaN）之后新一代高压、大功率功率器件的理想材料。MOCVD同质外延片是高性能氧化镓器件制造的核心基底，其外延质量直接影响器件性能、稳定性和规模产业化进程。

核心技术与创新亮点

1. MOCVD工艺平台自主突破
富加镓业基于自主生产的高质量氧化镓单晶衬底，开发出适用于厚度大于10μm的同质外延MOCVD工艺。通过精确控制外延过程中的温度场、气相组分与生长速率，实现了同质外延薄膜的高结晶性和低缺陷密度。

2. 杂质与掺杂精准调控
研究团队针对MOCVD外延关键“背景杂质控制”与“掺杂浓度调节”难题持续攻关。此次新产品载流子浓度精确至4.2E16 cm⁻³，迁移率创下181.6 cm²/V·s新高，充分验证了杂质控制与掺杂优化的显著成效，满足下游高压、大功率器件的高性能需求。

3. 外延厚度突破与均匀性提升
实现10μm以上外延厚度，对于后续垂直结构功率器件、肖特基二极管、场效应管等新型器件至关重要。厚膜均匀性与表面质量的提升，为高可靠性大功率器件的批量制造奠定了坚实基础。

市场化进展与应用前景

2025年6月，富加镓业已将相关标准化氧化镓同质外延产品（含规格书）同步推向市场，积极服务国内外氧化镓器件企业及产业链用户。高性能同质外延片的量产将极大推动下游垂直型高压功率器件（如肖特基二极管、MOSFET、JBS等）在新能源汽车、光伏发电、5G通信、快充等应用场景的快速商业落地。

氧化镓的产业化进程近年来明显提速。其成本优势（可在常压、低温条件下生长大尺寸晶体）与极端电压、高温场景的独特材料属性，有望重塑全球功率半导体市场格局。富加镓业此次MOCVD同质外延片性能再创新高，将大幅提升我国在超宽禁带半导体材料领域的国际竞争力。