英飞凌获得欧盟芯片法案资助并开始推出200毫米SiC产品

在奥地利制造的芯片将为客户提供最先进的高压应用功率技术

英飞凌科技股份公司宣布其200毫米SiC路线图取得重大进展，客户将于2025年第一季度收到基于该技术的首批产品。这些新型SiC功率器件在奥地利菲拉赫制造，适用于可再生能源应用、火车和电动汽车。此外，英飞凌表示，其位于马来西亚居林的工厂正在按计划从150毫米晶圆过渡到200毫米晶圆。新建的Module 3工厂已准备好开始大批量生产，以满足市场需求。

英飞凌首席运营官Rutger Wijburg表示：“通过分阶段提高菲拉赫和居林的 生产，我们正在提高成本效益，并继续确保产品质量。同时，我们正在确保我们的制造能力能够满足对基于 SiC 的功率半导体的需求。”

据英飞凌称，该公司位于菲拉赫和居林的生产基地共享技术和工艺，可以快速实现 SiC 和 GaN 制造的产能。

最新批准使德累斯顿工厂的总资金达到约10亿欧元

欧盟委员会已根据《欧洲芯片法案》批准为位于德累斯顿的英飞凌智能功率器件制造厂提供资金，使该工厂的总投资资金达到约10亿欧元。该工厂将专注于使用300毫米技术的硅基电力电子，计划于2026年开业。德国联邦经济事务和气候行动部（BMWK）预计将在未来几个月内获得官方资金批准，该部负责支付欧盟芯片法案资金。该晶圆厂已经获得了欧盟委员会IPCEI ME/CT（微电子和通信技术欧洲共同利益重要项目）创新计划的支持。

英飞凌首席执行官Jochen Hanebeck表示：“英飞凌的这项政府支持的投资巩固了德累斯顿、德国和欧洲作为半导体中心的地位，并促进了最先进的微电子创新和生产生态系统。我们正在提高欧洲的半导体产能，从而帮助确保汽车、安全和工业领域的稳定供应链。”

英飞凌总共投资50亿欧元用于扩建其德累斯顿工厂。德国联邦政府此前已批准该项目提前启动。新开发项目将创造多达1,000个新工作岗位，不包括在投资生态系统中创造的额外工作岗位。除了为德累斯顿的制造扩张提供资金外，英飞凌还利用IPCEI ME/CT创新计划来推动其它公司所在地的研发投资。

2022年至2027年期间，英飞凌将在德国和奥地利工厂投资23亿欧元用于创新项目，主要集中在电力电子、模拟/混合信号技术、传感器技术和射频应用领域。作为欧盟资助计划的一部分，英飞凌还在规划全面措施，以促进科学与工业之间的合作。一个核心要素是与欧洲大学、研究机构和初创企业的密切合作。