英国斯旺西建立4英寸氧化镓薄膜设施

英国斯旺西大学集成半导体材料中心（CISM）的研究人员在英国建立了首个4英寸薄膜氧化镓（Ga?O?）能力。这是通过一台新启用的Aixtron紧密耦合淋浴头沉积系统实现的，该系统可以在4英寸衬底上精确生长高质量的晶体薄膜氧化镓。这些薄膜已经经过测试，显示出均匀且高质量的特性。

这一能力位于CISM的新氧化物和硫族化合物MOCVD实验室，该实验室现已成为薄膜氧化镓研究和开发的国家中心，涉及功率电子、深紫外光电探测器和透明导电氧化物应用等领域。

氧化物和硫族化合物MOCVD中心的研究负责人丹·兰布（Dan Lamb）表示：“这一新设施是我们研究的一个重大进步，我对它为新型材料和器件开发带来的可能性感到非常兴奋。凭借这一先进设备，我们可以在推动现有工作边界的同时，也为与英国及更广泛地区的研究小组合作创造新的机会。”

英国国家外延设施的约翰·赫弗南（John Heffernan）表示，该设施支持英国大学的半导体研究，斯旺西大学的MOCVD能力现在可以通过直接合作供研究人员使用。研究人员还可以通过斯旺西与英国国家外延设施的“泵启动计划”合作获得可行性研究。这一举措确保学术界和工业界合作伙伴可以利用斯旺西在外延薄膜生长方面的专业知识，加速他们的研究和技术发展。

这一成就紧随Vishay最近宣布的2.5亿英镑投资，该投资得到了英国政府汽车转型基金的支持，旨在其纽波特工厂大幅扩大先进的宽带隙功率半导体组件制造。

Vishay纽波特的质量保证和外部事务总监萨姆·埃文斯（Sam Evans）表示：“这是我们在南威尔士半导体集群中宽带隙材料创新的一个重大进步，支持了Vishay最近宣布的2.5亿英镑 组件扩产计划等区域先进功率电子制造增长的努力。”

该沉积系统由英国工程和物理科学研究委员会（EPSRC - 战略设备计划）提供的270万英镑资助，这进一步强化了英国对推进半导体创新的承诺。