全球首个集成肖特基二极管的GaN功率晶体管发布

随着宽禁带半导体技术的不断进步，英飞凌科技公司（Infineon Technologies）再次掀起技术革命，推出全球首款集成肖特基二极管的氮化镓（GaN）功率晶体管系列——CoolGaN™ G5。这款中压氮化镓晶体管不仅提升了电力系统的整体效率，还在多个工业应用中展现出强大的潜力。

CoolGaN™ G5功率晶体管通过集成肖特基二极管，减少了硬开关应用中的不必要的死区损耗，从而显著提高了系统效率。与此同时，该集成解决方案简化了功率阶段设计，减少了材料清单（BOM）成本，为工程师带来了更高的设计灵活性和更低的总成本。

在以往的氮化镓应用中，由于GaN器件较大的有效体二极管电压（V SD），往往会造成较高的功率损耗，尤其在控制器的死区时间较长时，损耗更为严重。为了解决这一问题，设计工程师常常需要并联外部肖特基二极管，或者通过缩短控制器的死区时间来减轻损耗。但这些措施往往需要额外的时间、成本和设计复杂度。英飞凌的新一代CoolGaN™ G5功率晶体管大大减少了这些挑战，提供了一款适用于服务器、通信IBC、电压转换器、USB-C电池充电器、高功率电源单元（PSU）和电机驱动等多种应用场景的集成肖特基二极管氮化镓晶体管。

2提升兼容性，降低设计复杂性

3满足市场需求，推动创新

4产品信息与供应

CoolGaN™ G5系列首款集成肖特基二极管的氮化镓晶体管规格为：100V、1.5mΩ的3x5mm PQFN封装。工程样品和目标数据手册可根据需求提供，进一步满足客户的技术要求和市场需求。

关于CoolGaN G5系列产品，此篇文章中有介绍过。

氮化镓 GaN 解决方案概述——领先制造商篇

早年在推广GaN新应用时，一个主要的宣传点就是：无体二极管，无反向恢复损耗。因此在电机驱动等部分应用场合，受限于较高的反向VF，死区时间需要精心设计很短的时间，以减小这部分的损耗。现如今，英飞凌直接将二极管集成到了氮化镓器件本体。