随着全球对能源效率和高性能电子设备需求的不断增长,从电动汽车到5G通信基站,从智能电网到光伏储能,从工业自动化设备到数据中心, 器件在这些相关产业升级需求的带动下,应用领域不断拓展。
中国能源资源与用电负荷呈现典型的"逆向分布"格局:西部、北部地区集中了全国80%以上的风能和太阳能资源,东部沿海地区消耗了全国70%以上的电力负荷,现有电网输电能力与新能源消纳需求存在巨大缺口。
在中国"西电东送"的能源战略版图中,特高压电网承担着电力输送大动脉的关键角色。特高压系统(如±800kV及以上直流输电)要求单个功率器件具备超高耐压能力(10kV以上)。传统硅基器件难以满足,而SiC的临界击穿电场(~3MV/cm,10倍于硅)可大幅提升器件耐压等级。
天岳先进目前基于量产的n型
衬底制备的单极型MOSFET器件主要用于600-1200V的中压应用场景,对于特高压系统10kV以上的耐压器件,p型
衬底制备的双极型IGBT器件具有巨大的应用潜力。另外,基于p型衬底的SiC IGBT模块,可减少50%串联器件数量,降低换流阀损耗40%以上。这种本质性的性能提升,单条特高压直流线路年节电可超1亿度。
天岳先进在p型重掺杂、大尺寸
衬底制备等关键技术上已取得系列突破,并稳固掌握晶体生长、缺陷控制、加工检测及部件自制等全技术链条。
国际权威机构Yole报告数据显示,全球 功率器件市场规模预计将从2021年10.9亿美元增长至2027年62.97亿美元,年均复合增长率达34%。值得关注的是,天岳先进率先推出全系列12英寸 衬底产品,意味着 将在高压大功率领域展现出极为广阔的应用前景, 产业链热潮有望持续。
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