本期内容
2025年10/11月刊
封面故事 Cover Story
溶液法生长
单晶的位错研究
Study on Dislocations in Solution-Grown Silicon Carbide Single Crystals
常州臻晶半导体有限公司
编者话 Editorial
液相法取代PVT只是时间问题
Just a matter of time：Replacing PVT with Solution Growth
业界动态 Industry
芯联集成与理想汽车
产品量产交付
Sunic Integrated Circuit and Li Auto begin mass production and delivery of silicon carbide products.
Imec推出300毫米GaN晶圆计划
Imec launches 300mm GaN program
美国能源部拟资助其国内镓生产
US DoE to fund domestic gallium production.
英诺赛科为英伟达开发800V GaN电源方案
Innoscience develops 800V GaN power solution for NVIDIA.
牵引逆变器安装量增长19%
Traction inverter installations up 19%.
Axcelis与Veeco宣布合并
Axcelis and Veeco announce merger.
格力电子×电子科技大学:
器件联合研究中心揭牌
Gree Electronics × University of Electronic Science and Technology of China: joint Research Center for Silicon Carbide Devices officially inaugurated
技术 Technology
200mm
衬底厚度与外延厚度的多维度影响
Thick homoepitaxy on 200 mm SiCS
结型势垒肖特基二极管的高温挑战
Silicon Carbide Junction Barrier Schottky Diode to Challenge High Temperatures
为 GaN 加入超结结构
Giving GaN a superjunction
用无缝 III-V 族集成革新硅基光子的竞赛
The race to revolutionise silicon photonics with seamless III-V integration
科技前沿 Research Review
无石英的 GaN-on-GaN 外延片的 HVPE 扩大生产
Scaling quartz-free HVPE of GaN-on-GaN epiwafers
钝化 β-Ga2O3 器件
Passivating β-Ga2O3 devices
热壁 MOCVD 助力 GaN-on-AlN HEMTs
Hot-wall MOCVD helps GaN-on-AlN HEMTs
Evatec专栏 Evatec Column
采用液态镓靶溅射制备的简并态 GaN 的低场传输特性与散射机制研究
Low-field transport properties and scattering mechanisms of degenerate n-GaN by sputtering from a liquid Ga-target
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粤公网安备 44030402004706号
PVT法经过长时间运用，技术已经成熟，但是其晶体质量，生长成本仍是二大关键难题。HTCVD法同样存在生产成本更高的问题，同时其采用的易燃易爆气体不利于可持续发展。溶液法由于其生长温度低，位错密度小，原料成本低等天然优势成为目前大力发展的 单晶生长方法，并有望成为未来主流的产业化长晶技术。本研究表明，优 化生长界面温度梯度、抑制气孔形成、实施扩径生长以及采用偏轴籽晶生长都可以显著降低晶体中的位错数量，提升单晶质量。