企业新闻
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DRYVAC DV450 和 RUVAC WH2500：新推出的两款满足特定应用需求的前级真空泵，进一步拓展了欧瑞康莱宝真空公司的产品系列。 RED Micro Wire宣布推出突破性半导体焊线技术 2012-3-30
RED Micro Wire 宣布推出带玻璃绝缘性能的新型高品质铜线，可用于半导体线焊。通过在微细线生产中采用突破性技术，这种焊线就可以像传统的铜焊线那样被使用，并且还具有多重优势，让之更具成本效... 科锐推出第三代XLamp? LED新品 2012-3-28
科锐致力于通过不断创新，实现LED性能的不断提升，促进LED照明系统成本下降，加快LED照明的普及。科锐将携手LED照明同行，共同续写LED春天的故事。 中微等离子体刻蚀设备 Primo AD-RIE(TM) 运抵中芯... 2012-3-27
中微第二代等离子体刻蚀设备首次在中国试运安装；用于32纳米至28纳米芯片加工 飞兆半导体推出650V场截止IGBT 2012-3-27
兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了一系列针对光伏逆变器应用的650V IGBT产品，帮助设计人员应对这一行业挑战 罗姆半导体量产全球首款全SiC功率模块 2012-3-27
罗姆从2012年3月开始量产在晶体管和二极管中都采用SiC的“全SiC”功率模块。据该公司介绍，全SiC功率模块的量产尚属“全球首次”。 惠瑞捷 V93000 测试平台获 ISE Labs 采用 2012-3-27
半导体测试设备供应商惠瑞捷 (Verigy) V93000 测试平台获 ISE Labs 硅谷及德州奥斯汀厂采用 航天机电募集资金用于太阳能项目 2012-3-26
本次募集资金总额为不超过19.26亿元，扣除发行费用后将用于上海神舟新能源发展有限公司"200MW高效太阳电池生产线技术改造项目"等 应用材料公司推出先进的化学气相沉积薄膜技术 2012-3-20
应用材料公司宣布推出全新等离子体增强化学气相沉积（PECVD）薄膜技术，用于制造适用于下一代平板电脑和电视的更高性能高分辨率显示 EV集团推出第二代EVG620HBL LED生产光罩定位系统 2012-3-19
晶圆键合及光刻设备领先的供应商EV集团——主要为先进半导体及封装、 ，微电子机械系统，绝缘硅片（SOI）以及新兴的纳米技术市场供应产品，今天发布EVG620HBL Gen II——第二代全自动... 极特先进科技公司最新类单晶技术实现了全单晶铸锭... 2012-3-19
这一技术突破将帮助传统多晶硅片制造商利用其多晶铸锭炉，生产最高比例的单晶硅片，而避免了单晶与多晶同时参杂的硅砖和硅片的出现。 新的爱思强MOCVD技术中心支持中国LED大国鸿图 2012-3-16
德国爱思强股份有限公司举行了新的培训及演示中心开幕仪式，该中心设在苏州纳米及生物研究所（纳米所）。 SAFC Hitech? 开设台湾新厂 2012-3-15
SAFC Hitech? 开设台湾新厂，扩张高亮度LED 前驱体全球产能 Instrument Systems 推出专用于 LED 的电源供应器... 2012-3-15
用于 LED 及 LED 晶片产品测试的解决方案 Instrument Systems 推出新型CCD 阵列式光谱仪 2012-3-15
功能强大，质量控制和LED 生产线皆适用的光谱仪 POWERWAY太阳能跟踪系统 2012-3-13
POWERWAY太阳能跟踪器安装简便、可靠性高，寿命长，维护简单，准确跟踪太阳移动。与固定方向的太阳能系统相比，采用单水平轴太阳能跟踪系统可以将能量输出从11%提高到18%，采用双轴太阳能跟踪系统... 极低开关损耗的常开SiC JFET 2012-3-13
SemiSouth Laboratories推出SJDP120R340常开SiC trench JFET，与硅MOSFET相比可实现更高的开关速度，大大降低了损耗。 功率器件的关键应用包括光伏微型逆变器、SMPS和UPS、电机驱动和感应加... 欧司朗公司硅上InGaN LED芯片试生产 2012-3-13
欧司朗光电半导体公司的研究人员已经成功制造出蓝色和白色LED高性能原型，其GaN层生长在150mm硅晶圆上。到目前为止，硅可取代普遍使用的蓝宝石衬底，而没有质量损失。 科锐推出封装型1700V 肖特基二极管 2012-3-13
全新系列封装型二极管科锐1700V Z-Rec?肖特基二极管，在现有 肖特基二极管技术条件下，可提供业界最高的阻断电压，从根本上消除了硅二极管替代品中存在的反向恢复损耗，能够使系统实现超... 可为WiFi 5GHz接入点提供一流性能的前端模块 2012-3-13
AFEM-S105模块利用Avago公司的专有0.25?m GaAs增强模式pHEMT工艺技术，可在各种不同的电压和温度范围获得强劲的RF性能，并且低电流消耗
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