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晶越半导体研制出高品质12英寸SiC晶锭

材料来源：晶越半导体官微

据晶越半导体官微消息，晶越半导体继2025年上半年成功量产8英寸衬底后，持续投入并不断加大研发力度，并在热场设计、籽晶粘接、厚度提升以及缺陷控制方面不断调整和优化工艺，近日研制出高品质12英寸SiC晶锭，标志晶越成功进入12英寸SiC衬底梯队。

公开资料显示，浙江晶越半导体有限公司成立于2020年7月21日，现阶段主要聚焦于6-8英寸导电型衬底材料的研发、生产与销售。

在未来，晶越将持续投入研发、专注于打磨产品、提高良率和参数优化，努力打造国内领先材料提供商。

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